Der Micron Technology MT41K512M8RH-107:E ist ein Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Integrierter Schaltkreis, der für fortschrittliche Computer- und speicherintensive Anwendungen entwickelt wurde. Dieses 4-Gigabit-Speicherbauteil bietet robuste Leistung mit einer parallelen Schnittstelle und außergewöhnlicher Betriebsmöglichkeit.
Der für anspruchsvolle technische Umgebungen konzipierte Speicherbaustein arbeitet in einem weiten Temperaturbereich von 0°C bis 95°C und ist somit ideal für industrielle, automotive und luft- und raumfahrttechnische Anwendungen geeignet. Der Speicherchip nutzt ein ausgefeiltes 78-FBGA-Gehäuse (9x10,5), das eine kompakte und effiziente Leiterplattenintegration durch Oberflächenmontage ermöglicht.
Zu den wichtigsten technischen Spezifikationen gehören eine schnelle Zugriffszeit von 20 Nanosekunden, Unterstützung für Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung bei einer Taktfrequenz von 933 MHz. Der Speicher ist als 512M x 8 organisiert, was flexible Konfigurationsmöglichkeiten ermöglicht. Er arbeitet innerhalb eines genauen Versorgungsspannungsbereichs von 1,283 V bis 1,45 V, was einen stabilen und energieeffizienten Betrieb gewährleistet.
Die SDRAM nutzt DDR3L-Technologie und bietet im Vergleich zu älteren Speicherlösungen eine verbesserte Energieeffizienz sowie Leistungsfähigkeit. Das flüchtige Speicherformat gewährleistet schnelle Datenverarbeitung und Reset-Fähigkeiten, was es ideal für Anwendungen macht, die eine schnelle Datenhandhabung und temporären Speicher benötigen.
Wesentliche Vorteile sind niedriger Energieverbrauch, hochgeschwindigkeits Datenübertragung, robuste Temperaturbeständigkeit und ein kompaktes Design. Das Bauteil eignet sich besonders gut für eingebettete Systeme, Telekommunikationsinfrastruktur, Netzwerkequipment und moderne Computing-Plattformen.
Vergleichbare oder alternative Modelle auf dem Markt umfassen ähnliche DDR3L-SDRAM-Komponenten von Herstellern wie Samsung, Hynix sowie andere Produktlinien von Micron Technology mit vergleichbaren Spezifikationen und Leistungsmerkmalen.
Die Einhaltung der RoHS-Standards unterstreicht die Umweltverträglichkeit und technische Zuverlässigkeit des Bauteils, was es zu einer bevorzugten Wahl für moderne elektronische Designanforderungen macht.
MT41K512M8RH-107E Schlüssige technische Merkmale
Der MT41K512M8RH-107:E ist ein 4-Gbit-DDR3L-SDRAM mit einer Zugriffszeit von 20 ns und bietet eine parallelistische Speicher-Schnittstelle, optimiert für niedrigen Stromverbrauch und hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit bei einer Taktfrequenz von 933 MHz. Er verfügt über fortschrittliche Fehlerkorrektur- und Signalqualitätstechnologien, um stabile Abläufe unter wechselnden thermischen und elektrischen Bedingungen zu gewährleisten. Das 78-Ball-Fine-Pitch-BGA-Gehäuse ermöglicht zuverlässiges Surface-Mounting mit exzellenter Wärmeableitung und elektrischer Performance. Die Speicherorganisation ist 512M x 8, was effizientes Datenmanagement und schnelle Zugriffszeiten unterstützt. Der Betrieb erfolgt mit einer Spannung zwischen 1,283V und 1,45V, was den Energieverbrauch reduziert und gleichzeitig eine hohe Datenrate sicherstellt.
MT41K512M8RH-107E Verpackungsgröße
Der MT41K512M8RH-107:E ist in einem 78-FBGA-Gehäuse (9x10,5 mm) verpackt, mit dem Materialcode 138323. Das Gehäuse ist ein fein-pitch-Ball-Grid-Array mit 78 Pins, das eine zuverlässige Löt- und Montagefähigkeit garantiert. Das Design sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und elektrische Stabilität, wodurch die Kompatibilität mit modernen, hochdichten Speicheranwendungen gewährleistet ist.
MT41K512M8RH-107E Anwendung
Dieses Produkt ist für den Einsatz in Hochleistungs-Computing-Systemen und speicherintensiven Anwendungen konzipiert, die schnellen und effizienten Zugriff auf flüchtigen Speicher erfordern. Es eignet sich für Server, fortschrittliche Grafikkarten, Netzwerkgeräte und eingebettete Systeme, bei denen DDR3L SDRAM-Technologie in parallelen Speicherschnittstellen notwendig ist.
MT41K512M8RH-107E Merkmale
Der MT41K512M8RH-107:E ist ein 4-Gbit-DDR3L-SDRAM mit paralleler Speicher-Schnittstelle, ausgelegt auf geringen Stromverbrauch und hohe Datenübertragung bei 933 MHz Taktfrequenz. Er integriert fortschrittliche Fehlerkorrektur und Signalintegritäts-Technologien, um stabile Funktionalität bei wechselnden thermischen und elektrischen Belastungen sicherzustellen. Das 78-Ball-FGA-Gehäuse bietet eine zuverlässige Oberflächenmontage mit hervorragender Wärmeabfuhr und elektrischem Einsatz. Mit einer Organisation von 512M x 8 ermöglicht er effizientes Datenmanagement und schnellen Zugriff. Der Betrieb bei 1,283V bis 1,45V reduziert den Energieverbrauch bei gleichzeitig hoher Datenrate. Die Zugriffszeit von 20 ns sorgt für reaktionsschnelle Speicheroperationen, ideal für anspruchsvolle Anwendungen. Das Produkt entspricht den RoHS-Richtlinien, was Umwelt- und Gesundheitsschutz garantiert.
MT41K512M8RH-107E Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Dieses DDR3L-SDRAM-Modul erfüllt strenge Qualitätskontrollstandards und ist gemäß RoHS-Richtlinien geprüft, um den Einsatz gefährlicher Substanzen zu minimieren. Das stabile Gehäuse und das fein-pitch-BGA-Design sorgen für mechanische Zuverlässigkeit und thermische Stabilität, um Ausfälle durch Hitze und mechanische Belastung zu verhindern. Das Produkt durchläuft umfangreiche Tests bezüglich elektrischer Parameter, Timing-Genauigkeit und Montagefestigkeit, um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb unter verschiedensten Einsatzbedingungen zu gewährleisten.
MT41K512M8RH-107E Kompatibilität
Der MT41K512M8RH-107:E ist kompatibel mit DDR3L-Speicher-Controllern und Systemen, die einen Betrieb mit 1,35V Low-Voltage-SDRAM unterstützen. Sein paralleles Speicherinterface und das standardmäßige 78-Ball-BGA-Gehäuse machen ihn geeignet für eine Vielzahl moderner Computingsysteme mit 4-Gbit-Speicherdichte und geringem Stromverbrauch. Er lässt sich nahtlos in Designs integrieren, die Taktfrequenzen bis zu 933 MHz anstreben, und unterstützt typische industrielle Betriebstemperaturbereiche, was ihn vielseitig für embedded und kommerzielle Anwendungen macht.
MT41K512M8RH-107E Datenblatt PDF
Für detaillierte technische Spezifikationen steht Ihnen auf unserer Webseite die offizielle Datenblatt-Version des MT41K512M8RH-107:E zum Download zur Verfügung. Das Datenblatt enthält ausführliche Spezifikationen, Zeitschaltungsdiagramme, elektrische Parameter, Gehäusedetails und Anwendungshinweise, die für Design- und Qualifizierungsprozesse unerlässlich sind. Der Zugriff auf das Datenblatt garantiert stets die aktuellsten und zuverlässigsten Informationen für Ihre technische Planung.
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