Der SMMBT3904LT3G ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor, entwickelt von AMI Semiconductor / onsemi, speziell für robuste elektronische Anwendungen mit anspruchsvollen Umwelt- und Betriebsbedingungen. Dieser Oberflächenmontagetransistor bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit in den Bereichen Automotive und allgemeine Elektronikentwicklung.
Das Bauteil verfügt über ein kompaktes SOT-23-3 (TO-236) Gehäuse, was es ideal für platzsparende Elektronikdesigns macht. Seine automotive-zertifizierte AEC-Q101-Qualifikation garantiert Zuverlässigkeit in hochbelasteten Automotive-Umgebungen, mit einem beeindruckenden Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.
Zu den wichtigsten Leistungsmerkmalen gehören ein maximaler Kollektorstrom von 200 mA, eine Kollektor-Emiter-Spannungsfestigkeit von 40 V sowie ein minimaler Gleichstromverstärkungsfaktor (hFE) von 100 bei 10 mA. Der Transistor weist eine hohe Transitfrequenz von 300 MHz auf, was ihn für effiziente Hochgeschwindigkeits-Schaltungen und Verstärkungsanwendungen prädestiniert.
Der SMMBT3904LT3G begegnet kritischen Designherausforderungen, indem er eine robuste, kompakte Transistorlösung mit ausgezeichneter thermischer Stabilität und zuverlässigen elektrischen Eigenschaften bietet. Das Oberflächenmontagedesign erleichtert die Integration in moderne Leiterplattenlayouts, während seine niedrige Spannungs-Sättigung (300 mV bei 5 mA, 50 mA) eine effiziente Signalverarbeitung gewährleistet.
Zu den Hauptvorteilen zählen seine weite Temperaturtoleranz, hohe Stromverstärkung, kompakte Gehäuseform sowie die automotive-Qualifizierung. Der Transistor ist besonders geeignet für Automotive-Elektronik, Telekommunikationsinfrastruktur, Unterhaltungselektronik und industrielle Steuerungssysteme.
Alternative oder gleichwertige Modelle in derselben Produktfamilie umfassen den Standard SMMBT3904, 2N3904 sowie andere ähnliche NPN-Signaltransistoren von Herstellern wie Texas Instruments und Fairchild Semiconductor. Diese Modelle verfügen über vergleichbare elektrische und mechanische Spezifikationen, was Designern Flexibilität bei der Komponentenwahl bietet.
Das Gerät entspricht RoHS-Richtlinien und ist in Rollen- und Spulverpackung erhältlich, was eine einfache Integration in automatisierte Montageprozesse ermöglicht und den modernen Fertigungsstandard erfüllt.
SMMBT3904LT3G Schlüssige technische Merkmale
Der SMMBT3904LT3G ist ein NPN-Transistor mit einer Durchbruchspannung zwischen Kollektor und Emitter von 40 V und einer maximalen Kollektor-Stromstärke von 200 mA. Er eignet sich für Hochleistungs-Schalt- und Verstärkungsanwendungen in verschiedenen Elektronikbereichen.
SMMBT3904LT3G Verpackungsgröße
Verpackungstyp: Band & Reel (TR). Das Bauteil ist in SOT-23-3 (TO-236) Gehäuseform geliefert. Die Pin-Konfiguration besteht aus 3 Pins im SC-59-Format, SOT-23-3. Der thermische Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +150°C, was eine zuverlässige Funktion auch bei hohen Temperaturen ermöglicht.
SMMBT3904LT3G Anwendung
Einsatzbereit in Automobilanwendungen sowie anderen Bereichen, die eine hohe thermische Stabilität und Zuverlässigkeit erfordern, beispielsweise in industriellen Steuerungen und Hochfrequenzschaltungen.
SMMBT3904LT3G Merkmale
Der AMI Semiconductor/onsemi SMMBT3904LT3G ist ein robuster NPN-Transistor, der schnelle Schaltvorgänge und Verstärkungen in einem breiten Anwendungsspektrum ermöglicht. Mit einer Übergangsfrequenz von 300 MHz eignet er sich für Hochfrequenzkreise. Die Sättigungsspannung Vce beträgt maximal 300 mV bei einem Kollektor- und Basisstrom von 50 mA bzw. 5 mA, was niedrigen Spannungsverfall und Energieverlust im leitenden Zustand garantiert. Die Erfüllung des AEC-Q101 Automobilstandards gewährleistet eine hohe Zuverlässigkeit auch unter extremen Bedingungen.
SMMBT3904LT3G Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Der Transistor ist nach AEC-Q101 qualifiziert, was seine Eignung für den Automobilbereich bestätigt. Der erweiterte Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C sorgt für stabile Leistung in variierenden thermischen Umgebungen.
SMMBT3904LT3G Kompatibilität
Kompatibel mit Hochleistungs-Automobilstromkreisen sowie anderen elektronischen Anwendungen, die einen robusten NPN-Transistor erfordern. Geeignet für anspruchsvolle Steuerungs- und Verstärkeranwendungen.
SMMBT3904LT3G Datenblatt PDF
Auf unserer Webseite stellen wir das aktuellste und detaillierteste Datenblatt für das Modell SMMBT3904LT3G bereit. Das PDF-Datenblatt bietet alle technischen Spezifikationen, die für die Auswahl und den Einsatz des Bauteils notwendig sind. Bitte laden Sie das Datenblatt direkt von der Produktseite herunter, um die vollständigen Details zu erhalten.
Qualitätsvertrieb
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