Der CY7C136AE-55NXI ist ein Hochleistungs-Integrierter Schaltkreis, entwickelt von Cypress Semiconductor, speziell konzipiert als dual-portspezifischer statischer RAM (SRAM) für anspruchsvolle elektronische Anwendungen, die eine robuste Speicherverwaltung und effiziente Datenverarbeitung erfordern.
Dieser spezialisierte Speicherschaltkreis bietet eine kompakte Speicherkapazität von 16 Kbit, organisiert als 2K x 8, was vielseitige Speicheroptionen für komplexe elektronische Systeme ermöglicht. Mit fortschrittlicher asynchroner Dual-Port-SRAM-Technologie ausgestattet, erlaubt das Bauteil gleichzeitige Lese- und Schreiboperationen, wodurch die Gesamtleistung des Systems und die Effizienz der Datenverarbeitung gesteigert werden.
Das für anspruchsvolle Betriebsumgebungen ausgelegte IC zeigt eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit bei einem weiten Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 85°C, was es ideal für industrielle, automotive und kommerzielle elektronische Anwendungen macht. Das Oberflächenmontagegehäuse (52-PQFP) gewährleistet eine einfache Integration in kompakte elektronische Designs bei gleichzeitig robuster mechanischer Stabilität.
Der Speicherchip wird mit einer Versorgungsspannung zwischen 4,5 V und 5,5 V betrieben und bietet eine konstante Leistung mit einer schnellen Zugriffszeit von 55 ns und einer Schreibzykluszeit. Diese schnelle Reaktionszeit macht ihn ideal für Anwendungen, die schnelle Datenabrufe und -speicherung erfordern, wie eingebettete Systeme, Telekommunikationsgeräte und fortschrittliche Computerplattformen.
Zu den wichtigsten Vorteilen gehören die Dual-Port-Architektur, die einen unabhängigen Zugriff auf Speicheradressen ermöglicht, wodurch die Systemreaktionsfähigkeit verbessert und potenzielle Flaschenhälse reduziert werden. Die parallele Speicher-Schnittstelle sorgt für eine einfache Konnektivität und Kompatibilität mit verschiedenen elektronischen Architekturen.
Auf dem Markt könnten ähnliche Alternativmodelle beispielsweise von Herstellern wie Texas Instruments, Microchip und Alliance Memory angeboten werden, wobei die spezielle CY7C136-Serie einzigartige Leistungsmerkmale aufweist.
Die RoHS-Konformität des Geräts unterstreicht außerdem das Engagement für Umweltverträglichkeit und die Einhaltung moderner Herstellungsstandards in der Elektronik. Damit ist es eine attraktive Wahl für Entwickler, die zuverlässige Hochleistungs-Speicherlösungen suchen.
CY7C136AE-55NXI Schlüssige technische Merkmale
Der CY7C136AE-55NXI ist ein 16Kbit dual-port asynchroner SRAM, organisiert als 2K x 8 Bit, mit einer schnellen Zugriffszeit von 55 Nanosekunden. Das Bauteil unterstützt parallele Schnittstellen für effiziente Datenübertragung und ist ideal für Anwendungen, die hohe Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit erfordern. Der integrierte Betriebsspannungsbereich liegt zwischen 4,5 V und 5,5 V, was eine energiesparende Nutzung gewährleistet. Dank des robusten Gehäuses und der erweiterten Betriebstemperatur von -40°C bis 85°C eignet sich das Bauteil sowohl für industrielle als auch für consumer-orientierte Anwendungen.
CY7C136AE-55NXI Verpackungsgröße
Der CY7C136AE-55NXI wird in einem robusten Oberflächenmontage-Gehäuse vom Typ Plastic Quad Flat Package (PQFP) mit einem Footprint von 10 mm x 10 mm und 52 Pins geliefert. Das Paket ist eine Standard-SMD-Bauform mit 52-Löchern, die eine einfache Integration auf modernen Leiterplatten ermöglicht. Die Pin-Anordnung ist so ausgelegt, dass eine parallele Datenübertragung an verschiedene Schnittstellen problemlos möglich ist, wodurch eine effiziente Systemintegration gewährleistet wird.
CY7C136AE-55NXI Anwendung
Dieses SRAM-Modul eignet sich ideal für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung und temporäre Datenspeicherung in digitalen Systemen. Es unterstützt parallele Speicherinterfaces und ist somit bestens geeignet für eingebettete Systeme, Kommunikationsgeräte, Unterhaltungselektronik sowie Steuerungssysteme, die schnelle und zuverlässige volatile Speichermedien benötigen. Anwendungen in der Industrie und im Consumer-Bereich profitieren von der hohen Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit des Bauteils.
CY7C136AE-55NXI Merkmale
Der CY7C136AE-55NXI bietet eine hohe Zugriffsgeschwindigkeit mit einem Zyklus von nur 55 Nanosekunden und unterstützt gleichzeitige Lese- und Schreiboperationen an zwei unabhängigen Ports. Seine parallele Schnittstellenarchitektur ermöglicht einen hohen Datentransferwert, während das Gehäuse den Einbau in platzkritische Designumgebungen erleichtert. Das Bauteil arbeitet im erweiterten Temperaturbereich (-40°C bis 85°C) und verbraucht nur wenig Energie bei einer Versorgungsspannung von 4,5 bis 5,5 Volt. Die Technologie basiert auf volatiler Speichertechnik, die schnelle Datenzugriffe ohne Refreshing erlaubt, was besonders in Hochleistungsanwendungen von Vorteil ist.
CY7C136AE-55NXI Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Der CY7C136AE-55NXI entspricht den RoHS-Standards, was die Reduzierung schädlicher Stoffe garantiert (Stand vor Überprüfung des Lagerbestands). Cypress Semiconductor sichert durch strenge Fertigungsprozesse höchste Qualitätsansprüche zu. Das Bauteil ist für den erweiterten Betriebstemperaturbereich ausgelegt, um Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auch unter widrigen Bedingungen zu gewährleisten. Das robuste Gehäuse bietet zudem exzellente Wärmeabfuhr und mechanische Stabilität, um thermische Probleme zu vermeiden und eine langfristige Funktion sicherzustellen.
CY7C136AE-55NXI Kompatibilität
Der CY7C136AE-55NXI ist vollständig kompatibel mit Systemen, die parallele SRAM-Module mit 52-Pin-QFP-Schnittstellen verwenden. Er lässt sich nahtlos in Mikrocontroller-, FPGA- und ASIC-Designs integrieren, die dual-ports, asynchrone Speicherarchitekturen unterstützen. Die elektrischen Spezifikationen und Pin-Konfigurationen entsprechen den gängigen Industriestandards, wodurch eine einfache Erweiterung von Speicherressourcen in eingebetteten Systemen und Kommunikationsgeräten möglich ist.
CY7C136AE-55NXI Datenblatt PDF
Auf unserer Webseite finden Sie das umfassendste und aktuellste Datenblatt für den CY7C136AE-55NXI. Wir empfehlen dringend, das Datenblatt direkt auf dieser Seite herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen, elektrische Eigenschaften, Zeitdiagramme und Anwendungshinweise zu erhalten. Dies ist essenziell für eine optimale Planung und Implementierung Ihrer elektronischen Designs.
Qualitätsvertrieb
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