Die DS-Abteilung von Samsung erwägt erneute Investitionen in Halbleitertechnologien der nächsten Generation

Laut dem südkoreanischen Medienunternehmen ETNews diskutiert die Abteilung Device Solutions (DS) von Samsung Electronics Pläne zur Wiederaufnahme der Forschung und Anlageninvestitionen in Halbleitertechnologien der nächsten Generation.Der erneute Vorstoß wird sich voraussichtlich auf drei fortschrittliche Bereiche konzentrieren: NAND-Flash der nächsten Generation, Verbindungshalbleiter sowie fortschrittliche Verpackungen und Substrate.Der Schritt signalisiert Samsungs Rückkehr zu einer mittel- bis langfristigen Technologie-Roadmap, nachdem das Speichergeschäft wieder Stabilität erlangt hat.

Im Mittelpunkt der Diskussionen stehen die Festlegung der F&E-Prioritäten und die Festlegung eines Zeitplans für Anlageninvestitionen. Die entsprechenden Pläne werden intern noch verfeinert.Samsung hatte zuvor den Fortschritt in einigen neuen Geschäftsbereichen verlangsamt, da es der Wiederherstellung der Wettbewerbsfähigkeit bei DRAM und HBM Priorität einräumte.Seit der zweiten Hälfte des Jahres 2024 hat sich das Speichergeschäft jedoch weiter verbessert, unterstützt durch höhere DRAM-Ausbeuteraten, eine steigende HBM-Kapazitätsauslastung und eine Erholung der Marktnachfrage.Nachdem der Kernspeicherbetrieb wieder auf einer stabileren Grundlage steht, setzt Samsung nun interne Ressourcen für die Entwicklung neuer Technologien frei.

Beim NAND-Flash der nächsten Generation konzentriert sich Samsung auf die V10-NAND-Entwicklung mit dem Ziel, über 400 Schichten zu erreichen.Dies wäre ein deutlicher Sprung gegenüber dem derzeit in Massenproduktion hergestellten 286-Schicht-V9-NAND und würde die Speicherkapazität pro Wafer erhöhen, um der steigenden Nachfrage nach hochdichtem Speicher im KI-Zeitalter gerecht zu werden.Seit Samsung im April 2024 mit der Massenproduktion der TLC-Version von V9 NAND begann, hat die NAND-Produktionstechnologie seit mehr als zwei Jahren nur begrenzte Fortschritte gemacht.Der Neustart der V10-NAND-Entwicklung soll dazu beitragen, die Flash-Technologie-Roadmap des Unternehmens wiederherzustellen.

Im Bereich Verbindungshalbleiter plant Samsung, die Einführung von Produktionslinien für Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) zu beschleunigen.Die 8-Zoll-GaN-Linie soll im zweiten Quartal 2026 in Betrieb gehen, während die Massenproduktion der SiC-Linie für 2028 geplant ist. Samsung hat bereits mit dem Ausbau seiner Lieferkette und der Vorbereitung von Gerätekäufen begonnen und plant, 100 bis 200 Milliarden KRW in Kernwerkzeuge wie MOCVD-Geräte zu investieren.Ziel der Initiative ist es, Chancen bei Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge, Energiespeicher und andere Wachstumsmärkte zu nutzen.

Auch fortgeschrittene Verpackungs- und Substratbetriebe sind im erneuerten Investitionsplan enthalten.Samsung treibt die Entwicklung der Verpackungstechnologie und die damit verbundene Planung der Substratkapazität voran, um die Integration von HBM- und Logikchips zu unterstützen und seine Position bei der Verpackung von KI-Chips zu stärken.